IH-860DSIC SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC
- 公司名称 北京亚科晨旭科技有限公司
- 品牌
- 型号 IH-860DSIC
- 产地 北京
- 厂商性质 生产厂家
- 更新时间 2019/12/26 13:24:08
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产地类别 | 进口 | 价格区间 | 150万-200万 |
---|---|---|---|
应用领域 | 电子 |
离子注入设备
SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC
搭载了高温ESC(静电吸附卡盘)的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。
产品特性 / Product characteristics
• 可实现自动连续高温处理注入
• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV
(Option:1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV)
• 通过Dual-End-Station(双工位)实现高产能;
(A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等,可配合客户的希望就行规格配置)
• 可减轻操作员的负担
• 紧凑式设计
• 可大范围对应从试作到量产的各类需求
产品应用 / Product application
• 对应SiC的离子注入装置。
研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500
中电流离子注入装置IMX-3500为大能量200keV、对应大晶圆尺寸8inch的离子注入装置,适用于大学等机构的研究开发。
产品特性 / Product characteristics
• 大晶圆尺寸8inch,搭载了可对应不定形基板的台板。
• 离子源,除Gas source之外,另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。
• HV terminal的部分,与量产装置是同样的构成,可确保高信赖性。
产品应用 / Product application
• 教育、研究开发等
高能对应离子注入设备SOPHI-400
大可对应至2400KeV的高能离子注入装置。
产品特性 / Product characteristics
• 枚叶式
• 可对应薄片Wafer
• 平行Beam
产品应用 / Product application
• 功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺
可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30
低加速、高浓度对应的离子注入设备。
产品特性 / Product characteristics
• 枚叶式
• 可对应薄片
• 非质量分离机的对比优点
1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备
2)相比过去约一半的低价
3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计
产品应用 / Product application
• Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺
产品参数 / Product parameters
• 基板尺寸:Max200mm
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