SI 591 RIE反应离子刻蚀

RIE反应离子刻蚀采用模块化设计，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。 SENTECH SI 591可应用于各种领域的蚀刻工艺中，能够完成多种刻蚀加工。

RIE反应离子刻蚀主要特点:

高均匀性和优重复性的蚀刻工艺

预真空锁loadlock

电脑控制操作

SENTECH高级等离子设备操作软件

数据资料记录

穿墙式安装方式

刻蚀终点探测

工艺灵活性

RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺，占地面积小且模块化程度高，SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。SENTECH控制软件，我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。

预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。

SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。

SI 591 compact

• 占地面积小的RIE等离子刻蚀

• 预真空室

• 卤素和氟基气体

• 适用于200mm的晶片

• 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

SI 591 cluster

• 可配置为至多6端口传输

• 结合RIE, ICP-RIE和PECVD腔体

• 手动预真空室置片或片盒装载

• 用于研发和高产量的多腔系统

• SENTECH控制软件