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Trion 等离子蚀刻ICP

具体成交价以合同协议为准

联系我们时请说明是化工仪器网上看到的信息,谢谢!


First-Nano System GmbH 

  • 2003年          创立于德国德累斯顿工业大学(Dresden University of Technology)

  • 2008年          香港成立德国韦氏纳米系统(香港)有限公司   

  • 2015年          上海成立德国韦氏纳米系统(香港)有限公司中国代表处,负责中国区业务

  • 2018年          深圳正式成立韦氏纳米系统(深圳)有限公司,更好的为中国南方区市场

     

德国韦氏纳米系统成立以来,一直为客户想的更多,Thinking more !!!

 

产品范围:

薄膜沉积/Thin Film Deposition 
E-Beam and Thermal Evaporation, PECVD, PLD, DLC, DC & RF Sputtering, Ion Beam Sputtering
刻蚀/Etching
RIE, DRIE, ICP, Ion Beam Milling, RIBE, Plasma, ALE
薄膜制程/Growth
ALD, PA-MOCVD, CNT, Graphene
表面处理/Surface Treatment
Ion Beam, PIII, Plasma Cleaner, RTP
清洗/Cleaning
- Dry: Ion Beam, Plasma Cleaner
- Wet: Megasonic, 杜邦EKC清洗液
其他/Other,
Device Testing System for Space Simulation, Heated Platens, Plasma Sources, Resist Stripping Systems

等离子清洗机,均胶机,薄膜沉积,刻蚀

Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机

可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸),为实验室和试制线生产环境提供*的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3”; 3x4”; 7x2”)。

 

      系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck),以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器,及在基片背面保持一个氦冷却层,从而达到控制基片温度的作用。
该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源,其使得用户可以创建高密度等离子,从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。
基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触,从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下,从而隔绝外部湿气,防止反应室内可能发生的腐蚀。



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