TIC 3X 三离子束切割仪 Leica EM TIC 3X

三离子束技术

三离子束部件垂直于样品侧表面，因此在进行离子束轰击时样品（固定在样品托上）不需要做摆动运动以减少投影/遮挡效应，这又保证有效的热传导，减少样品在处理过程中受热变形。
技术
三离子束汇聚于挡板边缘的中点，形成一个100°轰击扇面，切向暴露于挡板上方的样品（样品上端高出挡板约20-100μm），直到轰击到达样品内部目标区域。新型设计的离子枪可产生的离子束研磨速率达到150μm/h (Si10 kV，3.0 mA，50μm切割高度)。徕卡*的三离子束系统，可获得优异的高质量切割截面，并且速率高，切割面宽且深，这可大大节约工作时间。通过这一*技术可获得高质量切割截面，区域尺寸可达>4×1mm

Leica EM TIC 3X - 设计和操作方面的创新性特点

高通量，提高成本收益
››可获得高质量切割截面，区域尺寸可达>4×1mm
››多样品台设计可一次运行容纳三个样品
››离子研磨速率高，Si材料300μm/h，50μm切割高度，可满足实验室高通量要求
››可容 纳 大 样 品 尺 寸 为50×50×10mm
››可使用的样品载台多种多样简单易用，高精度
››可简易准确地完成将样品安装到载台上以及调节与挡板相对位置的校准工作
››通过触摸屏进行简单操控，不需要特别的操作技巧
››样品处理过程可实时监控，可以通过体视镜或HD-TV摄像头观察
›› LED照明，便于观察样品和位置校准
››内置式，解耦合设计的真空泵系统，提供一个无振动的观察视野
››可在制备好的平整的切割截面上可再进行衬度增强作用，即离子束刻蚀处理。
››通过USB即可进行参数和程序的上传或下载
››几乎适用于任何材质样品
››使用冷冻样品台，挡板和样品温度可降至–150°C

多种多样的样品载台

几乎适合于各式尺寸样品，并适合于广泛用途。如用一个样品托，就可以完成前机械预制备（徕卡EM TXP）至离子束切割（徕卡EM TIC 3X），以及SEM镜检，然后再放入样品存储盒中以备后续检测。

衬度增强

在离子束切割之后，无需取下样品，用同样的样品载台还可对样品进行衬度 增强作用，可以强化样品内不同相之前的拓扑结构（如晶界）

高精度

现在，样品中越来越小的细节结构正逐步受到人们的关注。而通过切割获得截面，如获得很小的TSVia孔结构，已经变得轻而易举。所有样品台都设计达到±2μm的样品位置校准精度。不仅样品台的控制精度可以实现如此精确的目标定位校准工作，观察系统也可观察小约3μm大小的样品细节，以便进行精确的目标定位。为帮助定位时更好地观察样品，4分割LED环形光源或LED同轴照明提供很大帮助，帮助使用者从体视镜或HD-TV摄像头中获得清晰的图像。
由于将真空泵内置于仪器内部，因此不需要再单独腾出一个空间。得益于真空泵的解耦合设计，在样品制备过程中，观察视野不会受到真空泵产生的振动干扰。