可控硅检测仪

一、可控硅检测仪产品介绍：

１、它可以测量小至TO-92封装大至TO-3P封装的各种电流等级的塑封单、双向可控硅（晶闸管）。
２、专门设计了0-1O00uA的触发电流量程，可以直接测量MCR100-6等微安级触发电流的可控硅。
３、可以测量DIP-6、DIP-4封装的过零和非过零检测可控硅输出的光电耦合器和DIP-6封装的单向可控硅输出的光电耦合器。
４、可以测量200A以下的螺铨型单、双向可控硅和可控硅组合模块。
５、测试触发电流和触发电压时无需人工调节，可控硅插入测试座后仪器会自动的调节至触发值，并稳定的显示触发电流 IGT / 触发电压 VGT。
６、测试可控硅耐压参数时只需一次性调节好zui高输出电压值，以后每测一个管子只要按下高压按钮即可显示该可控硅的耐压值。

该仪器主要用于可控硅使用厂家对可控硅元件的质量检验、参数的配对、可控硅设备的维修之用。仪器还可以广泛的应用于对多种电子元器件的高低压耐压的测试。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、使用安全方便。

二、可控硅检测仪主要技术性能
1、可控硅触发电流IGT 测量范围： 6—1000uA ，0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。
2、可控硅触发电压VGT测量范围： 0—5V， 精度：≤5 % 。
3、可控硅光耦输入端LED触发电流IFT测量范围：0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。
4、可控硅光耦输入端LED触发电压VFT测量范围：0—3V 精度：≤5 % 。
5、可控硅和可控硅光耦输出端，正反向不重复峰值电压VDSM/VRSM测量范围： 0—2KV精度：≤3 % 。
6、可控硅和可控硅光耦输出端，正反向重复峰值电压VDRM/VRRM测量范围： 0—1.6KV精度：≤5 % 。

三、主要测试功能
1、全系列单双向塑封可控硅触发电流IGT、触发电压VGT的测试，正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM的测试，正反向重复峰值电压VDRM / VRRM的测试。
2、DIP-6、DIP-4封装的过零和非过零检测可控硅输出的光电耦合器和DIP-6封装的单向可控硅输出的光电耦合器输入LED端IFT / VFT的测试，输出端可控硅正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM的测试，正反向重复峰值电压VDRM / VRRM的测试。
3、电流在200A以内，VDSM / VRSM在2KV以内，触发电流在120mA以内的螺铨型单、双向可控硅和可控硅组合模块的触发电压IGT、触发电流VGT的测试，正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM的测试，正反向重复峰值电压VDRM / VRRM的测试。
4、2KV以内的各类二极管、三极管、达林顿管、整流桥、MOS场效应管、IGBT及各种模块的耐压测试。
5、2KV以内的压敏电阻、稳压管、双向触发二极管等电压值的测试。