安捷伦科技推出高线性度增强模式PHEMT FET

点击次数: 427 发布时间：2003年5月12日

安捷伦科技日前宣布推出一款高线性度E-pHEMT (增强模式伪单色高电子迁移晶体管)场效应管 (FET)。它适用于对成本敏感的、工作频率在450 MHz和6 GHz之间的无线通信设施，以实现低噪声和高动态范围的操作。　　在3V、30 mA和2 GHz时，安捷伦单电压的E-pHEMT FET（ATF-58143）的噪声系数为0.5 dB，伴随增益为 +16.5 dB，OIP3 (三阶输出互扰点)为 +30.5 dBm，线性输出功率(1 dB增益压缩)则为 +16.5 dBm。它特别适用于工作频率范围在450 MHz和6 GHz之间的蜂窝/PCS/WCDMA基站、无线本地环路、固定无线接入和其它高性能应用中的第一阶和第二阶前端LNA。ATF-58143在3V电压下，OIP3可实现30.5 dBm的高线性度，而其功耗仅为30 mA。这就大大降低了在当前紧凑型设备的设计中热量的产生。单电压操作还消除了电压逆电电路或双电压补给。　　目前，安捷伦仍是业内唯一提供单电压操作的E-pHEMT产品的厂商。单电压操作的方式，大大简化了供电补给的设计。单一的3V供电电压使得安捷伦这款新型E-pHEMT FET成为取代单电压HBT (异质结双极晶体管) 和传统的双电压PHEMT及GaAs HFET (异质结构FET) 的首选产品。　　ATF-58143 E-pHEMT FET采用微型2.0 x 2.1 mm SOT-343封装。

——信息来源：中国化工仪器网

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