首支硅衬底氮化镓基激光器问世

来源：上海佑谱光学仪器有限公司 2016年09月19日 11:22

中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上*支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。

随着半导体科技的高速发展，科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难以满足更快的通信速度以及更高的系统复杂度的需求。第三代半导体氮化镓在发光二极管LED和激光器等发光器件领域已经实现了广泛应用，为人类的节能照明作出了巨大贡献。

然而，由于第三代半导体氮化镓的热膨胀系数约是硅的两倍，在硅衬底上高温（1000℃左右）生长沉积的氮化镓材料在降温时倾向于快速收缩，受到硅衬底向外拉扯的巨大张应力，因此氮化镓材料在降到室温过程中通常会发生龟裂，产生的微裂纹和其他缺陷严重影响材料质量和器件性能。

在硅衬底上直接生长沉积高质量的第三代半导体氮化镓材料，不仅可以借助大尺寸、低成本硅晶圆及其自动化工艺线大幅度降低氮化镓基器件的制造成本，还将为激光器等光电子器件与硅基电子器件的系统集成提供一种新的技术路线。

研究人员不仅成功抑制了因氮化镓材料与硅之间热膨胀系数不匹配而常常引起的龟裂，而且大幅度降低了氮化镓材料中的缺陷密度。

该厂商推荐产品

凡本网注明“来源：化工仪器网”的所有作品，均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-化工仪器网合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其他方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明“来源：化工仪器网”。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。
本网转载并注明自其他来源（非化工仪器网）的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品第一来源，并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。

联系我们